近日，光电集成技术及应用团队左致远教授课题组在Applied Physics Letters期刊发表题为“Heterogeneous integrated InP/SiC high-performance multilevel RRAM”的研究成果，首次通过融合微电子、光电子两类核心平台材料SiC、InP实现了高性能电阻式随机存储器。该器件具有高开/关比的双极电阻开关特性并实现了多级数据存储，入选Applied Physics Letters期刊的亮点文章(FeaturedArticle)。

异质集成技术作为后摩尔时代集成电路领域的主导技术，能够满足未来集成电路系统对于更高密度更高功能集成的迫切需求。InP由于其出色的物理和电学特性，特别适合于光电子与高速电子相结合的应用，是集成电路技术中潜在的重要材料，在具有高热导率的SiC衬底上异质集成InP是缓解InP器件热积累的有效解决方案之一。在该工作中，使用InP作为电阻式随机存储器介质，SiC作为衬底，通过低温异质键合技术制备电阻式随机存储器。制备了具有超薄SiO₂插层的InP/SiC键合结构，键合强度达到9.3 MPa。该器件具有双极非易失性电阻开关行为，实现4级多电平数据存储。该研究成果为高性能电阻式随机存储器的结构开辟了更多的可能性，并展示了它们在高速非易失性存储中的潜在应用。

上述研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目资助。

文章链接：https://doi.org/10.1063/5.0187642