近日，光电集成技术与应用团队左致远教授、赵佳教授在Advanced Science期刊发表以“Piezo-Acoustic Resistive Switching Behaviors in High-Performance Organic-Inorganic Hybrid Perovskite Memristors”为题的研究成果，激光与红外系统教育部重点实验室博士研究生刘泽翰为第一作者，光学高等研究中心左致远教授、信息科学与工程学院赵佳教授、新一代半导体材料研究院刘铎教授为共同通讯作者。

忆阻器被认为是有望解决现有计算系统中数据密集型应用算法引起的高片外内存访问延迟和频繁数据移动等问题。卤化物钙钛矿因其制备简便、电学性能优异等特点，被认为是制造忆阻器的关键材料。然而，卤化物钙钛矿忆阻器研究主要集中在通过电压调制阻变性能上，因此难以实现器件的远程调控。

在这项工作中，团队设计了一种垂直结构忆阻器，成功实现稳健的阻变行为，包括低SET/RESET电压(+0.56V/-0.87V)，稳定的耐久性(5×10³周期)，超高的电/声开关比(10⁴/10³)，以及长数据保留时间(5×10⁴s)。由于极性分子MA⁺的存在提供了MAPbI₃的压电效应(d₃₃= 3.44 pm V^-1),因此，利用声音信号产生的压电效应可以调控离子迁移过程，抑制缺陷的形成或加速其湮灭，最终实现阻态的切换。团队首次揭示了阻态与压声阻变效应的频率和声压级的内在关联，相关器件提供了实现非接触多场信号工作和远场控制的新思路，有望在多场融合感存算一体化的集成架构中得到应用。

上述研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目资助。

文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/advs.202308383