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KDP晶体微观生长中的自屏蔽与自隧穿现象

作者: 时间:2020-04-01 点击数:

近日,赵显教授、房常峰副研究员等针对具有大长径比的介观KDP单晶生长过程中出现的棱面生长停滞和锥面快速生长这一奇特现象,原创性地提出了KDP晶体生长中的自屏蔽效应和自隧道效应,完整解释了该实验现象。该理论模型的出发点是微观尺度下KDP晶体的生长是由空间取向选择性的,将会导致只有特定取向的分子基团(或cluster)才能在晶体表面生长,其余取向的基团在表面堆积,降低了对生长有贡献的溶液浓度,进一步阻碍表面处的继续结晶。而在锥面处由于类似电磁学中尖端效应的存在,取向易于生长的分子浓度降低时会在附近产生较大的浓度梯度,因此将周围溶液中易于生长的部分源源不断汇聚到尖端,产生持续生长。该成果已在Crystal Growth & Design期刊上发表。

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